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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
43
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2615
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
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