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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
55
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
55
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2117
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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