RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
53
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
10.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
53
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2333
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link