RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2773
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link