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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
47
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
47
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2061
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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