RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
47
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
47
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2061
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team--Elite-1333 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link