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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
44
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
44
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2022
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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