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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
34
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2279
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
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