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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
17.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3935
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
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