RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
12.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2373
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link