RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Comparar
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
40
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
14.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
23
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2407
2631
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link