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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
58
Por volta de -100% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
3285
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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