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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
58
Por volta de -61% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
11.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
2935
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
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