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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
58
67
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
2,107.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
67
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
1850
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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