RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
58
Por volta de -142% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
15.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
3562
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link