RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
58
75
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
2,107.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
75
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
7.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
1735
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link