Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Pontuação geral
star star star star star
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 15.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,107.0 left arrow 11.4
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 58
    Por volta de -132% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    58 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,025.3 left arrow 15.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,107.0 left arrow 11.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    670 left arrow 2346
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações