RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
58
Por volta de -61% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
2474
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link