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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
58
Por volta de -93% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
6400
Por volta de 3.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
13.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
23400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
3310
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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