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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
58
Por volta de -107% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
11.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
2436
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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INTENSO 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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