RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
58
Por volta de -142% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.5
2,107.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
6.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
1983
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link