RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
58
66
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
2,107.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
66
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
1699
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link