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Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparar
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
85
Por volta de 60% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
6.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.3
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
85
Velocidade de leitura, GB/s
8.5
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
6.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
1118
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB Comparações de RAM
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
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