RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Pontuação geral
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
11.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2534
3152
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link