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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
51
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2570
3439
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Comparações de RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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