RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
51
Por volta de -34% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
38
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2429
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link