RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
51
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2607
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link