RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
51
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3475
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link