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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
51
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
21
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2981
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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CAS Latency (CL) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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