RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
11.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
51
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
15.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3179
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link