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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3325
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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