RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
51
Por volta de -104% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
25
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2290
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link