RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
51
Por volta de -70% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
5.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
1758
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link