RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
51
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
22
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
15.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3622
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link