RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
51
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
34
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3040
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link