RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
51
Por volta de -183% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.3
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
18
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
21.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
15.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3778
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link