RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
51
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
43
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2776
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link