RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
51
Por volta de -122% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
23
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2936
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link