RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
15.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
51
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2854
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link