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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3528
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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