RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
51
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3466
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB Comparações de RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link