RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
51
Por volta de -168% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
19
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
14.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3626
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link