RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
51
Por volta de -38% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
37
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
9.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2389
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link