RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
75
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
75
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
1763
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link