RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
52
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
52
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2390
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link