RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
66
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
7.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
66
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
7.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
1862
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link