RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
51
Por volta de -6% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
48
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2453
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link