RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
51
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3082
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link