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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
51
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3247
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
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