RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
51
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3008
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link