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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
51
Por volta de -2% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
50
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2064
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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